へー 3nm でも TSMC は FinFET のままなのに対して、Samsung は Nanosheet GAA に移行するんか。TSMC は歴史的にも楽観的に微細化進めていく企業(逆に Intel は厳しすぎて詰んだ面あるけど)だし、採算とれなくなってくるラインになると投資額減らすかもね。 eetimes.itmedia.co.jp/ee/artic

Nanosheet は Channel が Gate で囲われるっていう Gate All Around 構造。 pc.watch.impress.co.jp/docs/co

これ難しいのって結局、今までエッチングでチャネルの周り削ってたのを、Nanosheet 技術では Gate、Channel & Gate、Gate みたいに形成していかないといけないから、加工精度がさらに要求されることなんだろうなぁ。てか、どうやって作っていくんだろw エッチング時代の作り方しか知らないんやけどwww

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そもそも Planer FET の技術が FinFET にも応用されているのか知らん。でも構造的にはそこそこ応用できてそうだけど。基本知ってるのって Planer FET 時代の製造工程だしなw

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Nanosheet の製造工程あった。もう最初からスタック構造にして、それを削って… ってやるのかw 確かに効果はでかそうだけど、Samsung も Intel みたいに加工精度上がらなくて 3nm に移行できません… みたいなことにならなきゃいいけど… pc.watch.impress.co.jp/img/pcw

でも、FinFET は Width Quantization の制約があるから、成功したときは Samsung のほうが Tr 詰め込める量増えて強みになりそう。実はそこに社運かけているのかもな。逆に失敗したときの影響は計り知れなさそうだけどw

実際 NVIDIA とか Samsung 8nm とかで契約した実績あるから、Samsung 3nm が順調に軌道に乗ったら NVIDIA 優先使用とかあるかもねー。

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